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I
SL9R860PF2 — STEALTH? Diode
diF/dt, CURRENT
RA
TE
OF
CHANGE (A/μs)
Figure
7
.
Reverse
Re
covery Softness Factor
vs diF/dt
diF/dt, CURRENT
RA
TE
OF
CHANGE (A/μs)
Figure
8.
Reverse
Recovery
C
harge
vs
d
iF/dt
Figure 9. Junction Capacitance vs Reverse Voltage
Figure 10. DC Current Derating Curve
Figure 11. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Typical Performance Curves
(Continued)
100
1
2
3
4
5
6
200 300 400 500 600 800 900700
1000
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
IF
= 16A
IF
= 8A
IF
= 4A
S, REVERSE RECOVERY SOFTNESS FACTOR
50
100
150
200
250
300
350
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
IF
= 16A
IF
= 8A
IF
= 4A
Q
RR
, REVERSE RECOVERY CHARGE (nC)
100
200 300 400 500 600 800 900700
1000
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
C
J
, JUNCTION CAPACITANCE (pF)
0
200
400
600
800
1000
1200
0.1 1001
10
4
050 15075
125
100
6
8
10
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10-5
10-2
10-1
Z
θ
JA
, NORMALIZED
THERMAL IMPEDANCE
0.01
10-4
10-3
SINGLE PULSE
100
0.1
101
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t1/t2
PEAK TJ
= P
DM
x Z
θJA
x R
θJA
+ T
A
PDM
t1
t2
1.0
0.001
2.0
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R860PF2 Rev. C1
www.fairchildsemi.com
4
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